निर्माता भाग संख्या : | EPC2105ENG |
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RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
निर्माता / ब्रांड : | EPC |
स्टॉक की स्थिति : | स्टॉक में |
विवरण : | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
भेजने का स्थान : | हॉगकॉग |
डाटा शीट : | EPC2105ENG.pdf |
शिपमेंट मार्ग : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
भाग संख्या | EPC2105ENG |
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उत्पादक | EPC |
विवरण | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | स्टॉक में |
डाटा शीट | EPC2105ENG.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 2.5mA |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | Die |
शृंखला | eGaN® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
पावर - मैक्स | - |
पैकेजिंग | Bulk |
पैकेज / प्रकरण | Die |
दुसरे नाम | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 300pF @ 40V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 2.5nC @ 5V |
FET प्रकार | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET फ़ीचर | GaNFET (Gallium Nitride) |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 80V |
विस्तृत विवरण | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 9.5A, 38A |