निर्माता भाग संख्या : | EPC2100ENG |
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RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
निर्माता / ब्रांड : | EPC |
स्टॉक की स्थिति : | स्टॉक में |
विवरण : | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE |
भेजने का स्थान : | हॉगकॉग |
डाटा शीट : | EPC2100ENG.pdf |
शिपमेंट मार्ग : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
भाग संख्या | EPC2100ENG |
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उत्पादक | EPC |
विवरण | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | स्टॉक में |
डाटा शीट | EPC2100ENG.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | Die |
शृंखला | eGaN® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
पावर - मैक्स | - |
पैकेजिंग | Tray |
पैकेज / प्रकरण | Die |
दुसरे नाम | 917-EPC2100ENG EPC2100ENGR_H1 EPC2100ENGRH1 |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
FET प्रकार | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET फ़ीचर | GaNFET (Gallium Nitride) |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30V |
विस्तृत विवरण | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 10A (Ta), 40A (Ta) |